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作為先進的納米壓印設(shè)備，EVG7300紫外光納米壓印機憑借其300毫米晶圓處理能力、300納米級對準(zhǔn)精度及模塊化設(shè)計，成為半導(dǎo)體、光學(xué)元件及生物醫(yī)療領(lǐng)域的關(guān)鍵制造工具。本文從設(shè)備結(jié)構(gòu)、操作流程、關(guān)鍵參數(shù)調(diào)控及維護要點四方面，解析其高效使用的...
金屬鍵合是一種廣泛應(yīng)用于制造業(yè)中的連接技術(shù)，它可以將兩個或多個金屬部件牢固地連接在一起。這種技術(shù)被廣泛應(yīng)用于汽車、航空、工程和電子行業(yè)中的制造過程中。金屬鍵合設(shè)備是實現(xiàn)金屬鍵合技術(shù)的關(guān)鍵部分。常見的金屬鍵合設(shè)備包括：1.焊接機：焊接機是一種將金屬部件加熱至熔點的設(shè)備，并使用填充材料來填補縫隙使兩者連接的設(shè)備。常見的焊接機包括氬弧焊機、激光焊機和摩擦焊機等；2.釬焊機：釬焊機是一種將金屬部件加熱至釬劑熔點的設(shè)備，并使用釬劑來連接金屬部件的設(shè)備。常見的釬焊機包括火焰釬焊機和感應(yīng)釬...
光學(xué)膜厚儀是一種用于測量薄膜厚度的儀器。它主要基于光學(xué)干涉的原理，可以在不破壞被測物表面的情況下進行非接觸式測量。由于其高精度、快速、穩(wěn)定等特點，廣泛應(yīng)用于電子、光電、化學(xué)、材料科學(xué)等領(lǐng)域中。光學(xué)膜厚儀的最大特點就是其測量精度非常高，一般可達nanometer級別。同時，該儀器還具有快速測量、非接觸式測量和測量范圍廣等優(yōu)勢。對于快速測量來說，它通常只需要幾秒鐘甚至更短時間就可以完成一次測量，而且可以實現(xiàn)自動化測量，極大地提高了工作效率。對于非接觸式測量來說，這種測量方式避免了...
1.2金屬鍵合對于高亮度垂直LED（high-brightnessverticalLED，HB-VLED）來說，鍵合界面必須具有高熱導(dǎo)和高電導(dǎo)的性能，幸運的是大部分金屬材料導(dǎo)熱性能好的同時導(dǎo)電性能也較好，使金屬鍵合技術(shù)成為目前LED產(chǎn)業(yè)中最常使用的鍵合技術(shù)，即以金屬膜為中間層實現(xiàn)晶圓對的連接。金屬鍵合技術(shù)提供了高熱導(dǎo)、低電阻、電流分布均勻及光吸收少的鍵合界面，無論是對于AlInGaP紅光LED還是對于InGaN藍光LED，采用金屬鍵合技術(shù)都能有效提高其熱學(xué)、電學(xué)和光學(xué)性能，因...
0引言發(fā)光二極管（light-emittingdiode，LED）照明是利用半導(dǎo)體的電致發(fā)光發(fā)展而來的固態(tài)照明技術(shù)。自1907年第一只發(fā)光二極管問世，到20世紀(jì)90年代，人們對LED的研究進展緩慢，期間使用GaAs和InP等第二代半導(dǎo)體材料為光源的LED僅應(yīng)用在光電探測及顯示領(lǐng)域。直到20世紀(jì)90年代中期，日本的中村修二發(fā)明了世界上DI一只超高亮度的GaN基LED，照明領(lǐng)域的大門才向LED打開。GaN作為繼第一代半導(dǎo)體材料Si，Ge和第二代半導(dǎo)體材料GaAs，InP等之后的第...
01引言數(shù)據(jù)中心、電信網(wǎng)絡(luò)、傳感器和用于人工智能高級計算中的新興應(yīng)用，對于低功耗和低延遲的高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟪尸F(xiàn)出指數(shù)級增長。我們比以往任何時候都更加依賴這些應(yīng)用來確保這個世界更安全、更高效。在所有這些市場中，硅光子學(xué)(SiPh)在實現(xiàn)超高帶寬性能方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。因此，開發(fā)能夠經(jīng)濟高效地擴大硅光子產(chǎn)品生產(chǎn)的解決方案比以往任何時候都更加重要。雖然通過使用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)工藝和現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施，SiPh的晶圓制造能力已經(jīng)成熟，但SiPh的封裝解決方案仍然是大規(guī)模商業(yè)化的關(guān)鍵瓶...